[发明专利]等离子体产生装置和半导体加工设备有效
| 申请号： | 201510381779.0 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN106328472B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李兴存;赵隆超 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体产生装置，所述等离子体产生装置包括介质窗、环绕所述介质窗设置的感应线圈和阻抗匹配装置，其中，所述等离子体产生装置还包括设置在所述介质窗和所述感应线圈之间的法拉第屏蔽件。本发明还提供一种半导体加工设备。在本发明所提供的等离子体产生装置中，感应线圈表面的电流传输将不会再受到等离子体状态扰动的影响，因此，本发明所提供的等离子体产生装置在工作时不会产生等离子体灭辉以及阻抗匹配装置重新匹配等现象，从而可以快速实现等离子体阻抗的匹配，进而更加容易控制博世刻蚀工艺过程中半导体基片的刻蚀形貌，提高博世工艺的可重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 产生 装置 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体产生装置，所述等离子体产生装置包括介质窗、环绕所述介质窗设置的感应线圈和阻抗匹配装置，其特征在于，所述等离子体产生装置还包括设置在所述介质窗和所述感应线圈之间的法拉第屏蔽件；所述感应线圈包括上感应线圈和下感应线圈，所述上感应线圈与所述下感应线圈串联。
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