[发明专利]一种掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法有效
申请号: | 201510383016.X | 申请日: | 2015-07-02 |
公开(公告)号: | CN106324979B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 宋矿宝;何昌武;朱成云 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G03F7/00;H01L21/68 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法,其中,该掩模版包括掩膜图形区域和除所述掩膜图形区域之外的剩余区域,所述掩膜图形区域包括至少两个晶圆定位区域,所述晶圆定位区域的形状与所述待定位晶圆的形状相同;其中,所述掩膜图形区域还包括曝光校平区域,所述曝光校平区域的中心与每个所述晶圆定位区域的中心的距离相等。本发明实施例提供的掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法能够提高晶圆的加工效率,进而提高晶圆的流通产能和流通效率,且为后续制作过程中的曝光校平提供便利。 | ||
搜索关键词: | 一种 模版 定位 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润华晶微电子有限公司,未经无锡华润华晶微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510383016.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气体传感器
- 下一篇:一种利用静态混合器维持原料高混合程度的甲醛生产工艺
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备