[发明专利]用于耗尽型MOSFET高温反偏测试的装置及方法有效
| 申请号： | 201510383246.6 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN106328551B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 马书嫏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于耗尽型MOSFET高温反偏测试的装置，包括用于连接被测MOSFET的栅极的第一引线，用于连接被测MOSFET的源极的第二引线，用于连接被测MOSFET的漏极的第三引线，其特征在于，所述第一引线的一端用于连接所述栅极，另一端用于接地，所述第二引线的一端用于连接所述源极，另一端用于接地，且第二引线上串联接有分压电阻，所述第三引线的一端用于连接所述漏极，另一端用于连接一测试电压提供装置。本发明还涉及一种耗尽型MOSFET的高温反偏测试方法。本发明在传统的测试设备上进行改造，只需增加一个分压电阻就能够进行耗尽型MOSFET的HTRB测试，成本低廉、架构简单、改造方便。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 耗尽 mosfet 高温 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于耗尽型MOSFET高温反偏测试的装置，包括用于连接被测MOSFET的栅极的第一引线，用于连接被测MOSFET的源极的第二引线，用于连接被测MOSFET的漏极的第三引线，其特征在于，所述第一引线的一端用于连接所述栅极，另一端用于接地，所述第二引线的一端用于连接所述源极，另一端用于接地，且第二引线上串联接有分压电阻，所述第三引线的一端用于连接所述漏极，另一端用于连接一测试电压提供装置；所述装置进行耗尽型N沟道MOSFET高温反偏测试时所述源极和所述栅极之间形成正压从而将所述被测MOSFET夹断。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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