[发明专利]氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510383479.6 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104993025B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 舒斌;陈景明;范林西;吴继宝;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇;宋建军;王斌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法，该红外LED器件包括硅衬底以及设置在硅衬底上的锗缓冲层，锗缓冲层上从左往右依次设有铝电极、横向P‑I‑N锗锡层、氮化硅层和铝电极，所述锗锡P‑I‑N结构上方淀积有氮化硅薄膜。本发明兼容了CMOS工艺，克服了目前高锡组分含量的锗锡合金生长困难的问题，且能通过调整氮化硅膜的结构改变张应力大小以实现锗锡材料光源对不同波长光的需求，具有较高的光电转换效率，光稳定性，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。 1 | ||
| 搜索关键词： | 锗锡 氮化硅膜 红外LED 锗缓冲层 硅衬底 铝电极 制备 光电转换效率 氮化硅薄膜 氮化硅层 光稳定性 锗锡合金 波长光 上光源 张应力 淀积 高锡 光源 兼容 生长 加工 | ||
【主权项】：
1.氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、采用低、高温两步法，先在硅衬底上250℃生长一层低温锗缓冲层后，升温至500℃生长高温锗缓冲层；S2、在步骤S1所得的锗缓冲层上生长一层锗锡材料；S3、在步骤S2所得的锗锡材料上制备横向P‑I‑N结构；S4、在步骤S3所得的锗锡P‑I‑N结构上方淀积氮化硅薄膜，使其产生张应变；S5、在步骤S4所得的锗锡层两侧淀积铝电极，得到应变锗锡LED器件。
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