[发明专利]一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法有效
| 申请号： | 201510383646.7 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN106328572B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 王强;涂招莲;王磊;朱琳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，包括：提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆；利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，取下所述晶圆；当硅片远离所述晶圆的一面减薄至距离所述晶圆剩余有预设厚度时，利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出所述晶圆，并取下所述晶圆。本发明实施例提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法能够在不影响晶圆表面电极形貌和正向电压参数及不破坏晶圆正面芯片图形的前提下，将晶圆卸下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 完成 表面 工艺 硅片 进行 方法 | ||
【主权项】：
一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，其特征在于，包括：提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆；利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，取下所述晶圆；当硅片远离所述晶圆的一面减薄至距离所述晶圆剩余有预设厚度时，利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出所述晶圆，取下所述晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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