[发明专利]钨膜的沉积方法

摘要

本发明公开了一种钨膜的沉积方法，包括以下步骤：提供基底；以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在基底上的第一硅原子层；以钨的气态化合物和硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在基底上的钨核膜；以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在钨核膜上的第二硅原子层；以钨的气态化合物和氢气作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在基底上的钨膜。上述钨膜的沉积方法，在钨核膜上形成第二硅原子层，使钨的气态化合物到达基底表面时和第二硅原子层的硅发生反应，从而阻挡钨的气态化合物向下扩散与钛发生化学反应生成气态物质，减少了钨膜沉积形成火山喷发状。

主权项

1.一种钨膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底；以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在所述基底上的第一硅原子层；以钨的气态化合物和所述硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在所述基底上的钨核膜；以所述硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在所述钨核膜上的第二硅原子层；以所述钨的气态化合物和氢气作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在所述基底上的钨膜；其中，所述形成沉积在所述基底上的钨核膜的操作中，所述钨的气态化合物和所述硅的气态化合物的流量比为1：10～40，压强为30Torr～50Torr；所述钨的气态化合物和所述第一硅原子层的硅发生置换反应生成钨，同时，所述钨的气态化合物和所述硅的气态化合物反应生成钨；所述形成沉积在所述基底上的钨膜的操作中，所述钨的气态化合物和所述氢气的流量比为1：25～60，压强为30Torr～50Torr，所述钨的气态化合物的流量为1sccm～10sccm，所述氢气的流量为80sccm～250sccm；所述钨的气态化合物先与所述第二硅原子层的硅发生置换反应生成钨，之后，所述钨的气态化合物和所述氢气反应生成钨。