[发明专利]各向异性磁阻坡膜合金及其固定易磁化轴的制备方法在审
申请号: | 201510384256.1 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN106328370A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 余涛;杨华;张文旭;彭斌 | 申请(专利权)人: | 贵州雅光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/18 | 分类号: | H01F41/18;H01F10/12;C23C14/34;B82Y40/00 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人: | 刘楠 |
地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种各向异性磁阻坡膜合金及其固定易磁化轴的制备方法,该方法采用倾斜溅射技术制备薄膜,薄膜在沉积过程中形成纳米级柱状微结构,由于柱状结构引入了各向异性,使得薄膜具有一定方向的易磁化方向;在常温下通过倾斜溅射,同时利用入射粒子与基底的相对运动,制备的薄膜具有按设定方向的各向异性,利用这种特性在调整转盘角速度、靶枪的倾斜角度以及与基底的距离,制备得到的薄膜具有特定的易磁化轴方向,本发明的磁性薄膜易磁化轴取向的诱导生长方法不需要添加诱导磁场,不需要加热基底,沉积时不受薄膜面积的限制,不需要提供大面积均匀的诱导磁场,有效的解决生长大面积薄膜的一致性问题。 | ||
搜索关键词: | 各向异性 磁阻 合金 及其 固定 磁化 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种各向异性磁阻坡膜合金固定易磁化轴的制备方法,其特征在于:该方法采用倾斜溅射技术制备薄膜,薄膜在沉积过程中形成纳米级柱状微结构,由于柱状结构引入了各向异性,使得薄膜具有一定方向的易磁化方向;在常温下通过倾斜溅射,同时利用入射粒子与基底的相对运动,制备的薄膜具有按设定方向的各向异性,利用这种特性在调整转盘角速度、靶枪的倾斜角度以及与基底的距离,制备得到的薄膜具有特定的易磁化轴方向。
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