[发明专利]场效应半导体器件以及其运行和制造的方法在审
| 申请号： | 201510384781.3 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105226096A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | P.伊尔西格勒;J.G.拉文;H-J.舒尔策;H.施特拉克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/331;H01L27/088;H01L27/082 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应半导体器件以及其运行和制造的方法。根据一种实施方式提出一种功率晶体管，该功率晶体管包括衬底、沟道、栅电极和栅绝缘体。该栅绝缘体至少部分地被布置在栅电极和沟道之间，并且包括以下材料，该材料关于其极化具有滞后现象，使得晶体管的通过在栅电极上所施加的电压产生的开关状态在切断该电压之后继续保持。此外，提出一种半桥电路，包括根据本发明的构造的高侧晶体管和低侧晶体管，以及提出用于控制的方法和电路。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 半导体器件 及其 运行 制造 方法 | ||
【主权项】：
功率晶体管（10），包括：a.漂移区（15），b.沟道（20），c.栅电极（25），d.栅绝缘体（30），其中所述栅绝缘体（30）至少部分地被布置在所述栅电极（25）和所述沟道（20）之间，并且包括以下材料，所述材料关于其极化具有滞后现象，使得所述晶体管（10）的通过在栅电极（25）上所施加的电压产生的开关状态在切断所述电压之后继续保持。
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