[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置的制造方法包括下列步骤。形成二堆叠结构于一基板之上。各个堆叠结构包括多个栅极层、多个栅极绝缘层及一顶部绝缘层；形成一电荷捕捉结构及一通道层，该电荷捕捉结构包括多个第一介电层及多个第二介电层；刻蚀部分的各个第一介电层，并刻蚀部分的各个第二介电层，以暴露出部分的通道层；形成一接垫层于第一介电层及第二介电层上，以连接通道层。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：形成二堆叠结构于一基板之上，其中各该堆叠结构包括多个栅极层、多个栅极绝缘层及一顶部绝缘层，该些栅极层及该些栅极绝缘层交替地设置，该顶部绝缘层设置于该些栅极层及该些栅极绝缘层上；形成一电荷捕捉结构及一通道层于各该堆叠结构的一侧表面，其中各该电荷捕捉结构包括多个第一介电层及多个第二介电层；刻蚀部分的各该第一介电层，并刻蚀部分的各该第二介电层，以暴露部分的该通道层；及形成一接垫层(landing pad layer)于该些第一介电层及该些第二介电层上，以连接该通道层；其中，在形成该些堆叠结构的步骤中，各该堆叠结构还包括一导电屏蔽层，该导电屏蔽层及接垫层的组合的厚度大于通道层的厚度。