[发明专利]具有中空腔室的半导体封装制造过程

摘要

本发明是有关于一种具有中空腔室的半导体封装制造过程，其包含提供下基板，该下基板具有底板、环墙及凹槽，该环墙及该底板形成该凹槽，形成球下金属层于该环墙的表面，设置多个焊球于该球下金属层的表面，各该焊球具有直径，相邻的两个焊球之间具有间距，对所述焊球进行回焊，使所述焊球熔化且互相连接而形成接合层，将上基板与该下基板连接，该上基板密封该下基板的该凹槽而形成中空腔室，该中空腔室用以容置电子元件。

主权项

一种具有中空腔室的半导体封装制造过程，其特征在于该中空腔室用以容置电子元件，该具有中空腔室的半导体封装制造过程包含：提供下基板，具有底板、环墙及凹槽，该环墙形成于该底板，该环墙具有表面，且该环墙及该底板形成该凹槽；形成第一球下金属层于该环墙的该表面，该第一球下金属层具有表面；设置多个焊球于该第一球下金属层的该表面，各该焊球具有直径，相邻的两个焊球之间具有间距，该间距不小于各该焊球的该直径的一半；对所述焊球进行回焊，使所述焊球熔化且互相连接而形成接合层，该接合层罩盖该第一球下金属层的该表面；以及将上基板与该下基板连接，该上基板具有连接表面，该连接表面连接该接合层，其中该上基板密封该下基板的该凹槽而形成中空腔室。