[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510386621.2 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN106328699B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 廖文甲 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;赵根喜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置包含基板、主动层、源极、漏极、栅极、场板、第一保护层与金属层。主动层置于基板上。源极与漏极分别电性连接主动层。栅极置于源极与漏极之间，并置于主动层上方。场板置于主动层上方，且置于栅极与漏极之间。第一保护层覆盖栅极与场板。金属层置于第一保护层上，置于栅极与场板上方，且电性连接源极。本发明的半导体装置通过金属层以调整栅极‑源极电容(Cgs)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一基板；一主动层，置于该基板上；一源极与一漏极，分别电性连接该主动层；一栅极，置于该源极与该漏极之间，并置于该主动层上方；一场板，置于该主动层上方，且置于该栅极与该漏极之间；一第一保护层，覆盖该栅极与该场板；以及一金属层，置于该第一保护层上，置于该栅极与该场板上方，且电性连接该源极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子工业股份有限公司，未经台达电子工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510386621.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
