[发明专利]电容器的制造方法在审
| 申请号： | 201510386903.2 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN106328376A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 林秉毅 | 申请（专利权）人： | 华硕电脑股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种电容器的制造方法。提供一基材与一第一导电材料层，其中第一导电材料层位于基材上。移除部分第一导电材料层，以形成多个第一内电极，其中第一内电极沿一第一方向排列，且相邻的第一内电极之间具有一间隙。沿一第二方向进行一原子层沉积步骤，以形成一介电层，其中第一方向与第二方向垂直，以使介电层覆盖第一内电极以及部分基材，且介电层未填满这些间隙。形成一第二导电材料层，填入未被介电层填满的这些间隙，以形成多个第二内电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器的制造方法，其特征是，包括：提供基材与第一导电材料层，其中上述第一导电材料层位于上述基材上；移除部分上述第一导电材料层，以暴露出上述基材的一部分而形成多个第一内电极，其中上述这些第一内电极沿第一方向排列，且相邻的上述这些第一内电极之间具有间隙；沿第二方向进行原子层沉积步骤，以形成介电层，其中上述第一方向与上述第二方向垂直，以使上述介电层覆盖上述这些第一内电极以及上述基材被暴露出的上述部分，且上述介电层未填满上述这些间隙；以及形成第二导电材料层，填入未被上述介电层填满的上述这些间隙，以形成多个第二内电极。
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