[发明专利]SnSe基热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510386988.4 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105047809B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 付亚杰;蒋俊;秦海明;梁波;王雪;刘柱;张烨;江浩川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/16;C30B13/00;C30B29/52 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SnSe基热电材料及其制备方法，其中，SnSe基热电材料的制备方法包括以下步骤：S100，按照SnSe基热电材料的化学计量比称取反应原料；S200，利用熔炼法炼制所述反应原料，得到SnSe基热电材料铸锭；S300，将S200中得到的SnSe基热电材料铸锭置于区熔炉中，利用区熔法生长多晶SnSe基热电材料。本发明的制备方法得到的多晶SnSe基热电材料择优取向明显，具有较佳的热电性能；同时，与单晶SnSe基热电材料的制备相比，本发明的制备方法简单，生长周期短，成本低廉，可应用于大规模的工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 热电材料 制备 反应原料 多晶 铸锭 化学计量比 热电性能 生长周期 择优取向 区熔法 区熔炉 炼制 熔炼 称取 单晶 生长 应用 | ||
【主权项】：
一种SnSe基热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，按照SnSe基热电材料的化学计量比称取反应原料；S200，利用熔炼法炼制所述反应原料，得到SnSe基热电材料铸锭；S300，将S200中得到的SnSe基热电材料铸锭置于区熔炉中，利用区熔法生长多晶SnSe基热电材料，所述多晶SnSe基热电材料的生长过程中，熔区的移动速率为1mmh‑1～15mmh‑1。
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