[发明专利]一种组合式太赫兹波探测器有效
| 申请号： | 201510387042.X | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN106328754B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 秦华;李想;孙建东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种组合式太赫兹波探测器，其包括：N个太赫兹波探测器；所述太赫兹波探测器包括：场效应晶体管及有效耦合太赫兹波的天线，所述天线与所述场效应晶体管集成设置，且所述天线与所述场效应晶体管的源极和漏极完全独立；其中，N个场效应晶体管的源极连接在一起，N个场效应晶体管的漏极连接在一起，N个场效应晶体管的栅极相互独立；或者，N个场效应晶体管串联。本发明的组合式太赫兹波探测器，能够抑制噪声，同时实现高响应度、高灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组合式 赫兹 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种组合式太赫兹波探测器，其特征在于，包括：N个太赫兹波探测器；所述太赫兹波探测器包括：场效应晶体管及有效耦合太赫兹波的天线，所述天线与所述场效应晶体管集成设置，且所述天线与所述场效应晶体管的源极和漏极完全独立；N个场效应晶体管的源极连接在一起，N个场效应晶体管的漏极连接在一起，N个场效应晶体管的栅极相互独立。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
