[发明专利]硅基脊型波导调制器及其制造方法有效
| 申请号： | 201510387070.1 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105487263B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 石拓;邵永波;陈昌华;苏宗一;潘栋 | 申请（专利权）人： | 硅光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了光电器件的各种结构及其制造方法。光电器件可包括硅基脊型波导调制器，所述硅基脊型波导调制器可包括第一顶部硅层，第二顶部硅层和薄栅介质层。所述第一顶部硅层包括第一掺杂区，所述第一掺杂区至少部分地用第一导电型掺杂剂进行掺杂；所述第二顶部硅层包括第二掺杂区，所述第二掺杂区至少部分地用第二导电型掺杂剂进行掺杂；所述薄栅介质层设于所述第一顶部硅层和第二顶部硅层之间。所述第二掺杂区至少部分在所述第一掺杂区的正上方。所述调制器也可包括形成于所述第二顶部硅层上的脊型波导、形成于所述第一顶部硅层上的第一电触头、和形成于所述第二顶部硅层上的第二电触头。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基脊型 波导 调制器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电器件，其特征在于，包括：硅基脊型波导调制器，包括：第一顶部硅层，包括第一掺杂区，所述第一掺杂区至少部分地用第一导电型掺杂剂进行掺杂；第二顶部硅层，包括第二掺杂区，所述第二掺杂区至少部分地用第二导电型掺杂剂进行掺杂，所述第二顶部硅层的所述第二掺杂区至少部分在所述第一顶部硅层的所述第一掺杂区的正上方；薄栅介质层，设于所述第一顶部硅层和第二顶部硅层之间，所述薄栅介质层包括与所述第一顶部硅层接触的第一侧和与所述第二顶部硅层接触的第二侧；脊型波导，形成于所述第二顶部硅层上；第一电触头，形成于所述第一顶部硅层上；和第二电触头，形成于所述第二顶部硅层上；其中，当电信号施加到所述第一和第二电触头时，自由载流子同时在所述薄栅介质层的第一和第二侧上的所述第一顶部硅层和所述第二顶部硅层内积累、耗尽或反向，且约束光场的所述脊型波导的折射率被调制。
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