[发明专利]半导体装置、显示模块及电子装置

摘要

本发明涉及半导体装置、显示模块及电子装置，特别地，本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

主权项

1.一种半导体装置，包括：栅极布线层、源极布线层和电源线；第一晶体管；包括栅电极、氧化物半导体层、源电极和漏电极的第二晶体管，所述源电极隔着所述氧化物半导体层与所述栅电极重叠；包括第一电极和第二电极的电容器；所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述电容器上的绝缘层；以及所述绝缘层上的像素电极层，其中，所述第一晶体管包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极层重叠的沟道形成区；所述氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层包括第一接触孔和第二接触孔，其中所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的边缘；所述氧化物绝缘层上的源电极层，该源电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第一接触孔电连接至所述氧化物半导体层；以及所述氧化物绝缘层上的漏电极层，该漏电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第二接触孔电连接至所述氧化物半导体层，其中，所述第一晶体管的所述源电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第一端重叠，其中，所述第一晶体管的所述漏电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第二端重叠，其中，所述第一晶体管中的所述氧化物半导体层包括不与所述氧化物绝缘层重叠的第一部分和与所述氧化物绝缘层接触的第二部分，其中，所述第一部分的电阻低于所述第二部分的电阻，其中，所述栅极布线层包括所述第一晶体管的所述栅电极层，其中，所述源极布线层包括所述第一晶体管的所述源电极层，其中，所述栅极布线层在布线交叉部中与所述源极布线层交叉，其中，在所述布线交叉部中，所述栅极绝缘层和所述氧化物绝缘层设置在所述栅极布线层和所述源极布线层之间，其中，所述第一晶体管的所述漏电极层电连接至所述电容器的所述第一电极，其中，所述第一晶体管的所述漏电极层电连接至所述第二晶体管的所述栅电极，其中，所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个电连接至所述电源线，其中，所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接至所述像素电极层，且其中，所述氧化物绝缘层包括硅。