[发明专利]一种异质结太阳能电池的加工方法

摘要

本发明公开了一种异质结太阳能电池的加工方法，其包括如下步骤：将N型单晶硅片抛光，清洗、去除表面缺陷层；进入PECVD，在N型单晶硅片正面沉积本征非晶硅膜、P型非晶硅膜；对沉积后的非晶硅膜的硅片，在N型单晶硅片正面沉积具有陷光结构的透明导电膜；利用丝网印刷方式，在正面印刷受光面电极栅线；在背面利用丝网印刷或真空镀膜方式印刷或沉积电池片背面电极。该方法一方面确保到达基片的沉积粒子可实现陷光结构沉积；另一方面，在沉积温度、偏压、压强、气氛、沉积速率、沉积时间等工艺方面加以控制，保证获得的薄膜为具有陷光结构的透明导电膜。

主权项

一种异质结太阳能电池的加工方法，其包括如下步骤：(1)将N型单晶硅片抛光，清洗、去除表面缺陷层；(2)进入PECVD，在N型单晶硅片正面沉积本征非晶硅膜、P型非晶硅膜；(3)对沉积后的非晶硅膜的硅片，在N型单晶硅片正面沉积具有陷光结构的透明导电膜；(4)利用丝网印刷方式，在正面印刷受光面电极栅线；(5)在背面利用丝网印刷或真空镀膜方式印刷或沉积电池片背面电极。