[发明专利]变周期倾斜光栅激光器及制备方法

摘要

一种变周期倾斜光栅激光器的制备方法，包括在一衬底上依次生长n‑型限制层、n‑型波导层、有源层、p‑型波导层、p‑型限制层、p‑型接触层；在p‑型接触层、p‑型限制层及p‑型波导层上制作出倾斜两光栅条，该两光栅条之间为倾斜的注入区；光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构，另一光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构和倾斜的横向分布的变周期光栅结构上制作绝缘层；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构以及他们之间的注入区上生长正电极；将衬底减薄抛光；在减薄抛光后的衬底的背面制作背电极；退火，解理成矩形的芯片，完成制备。

主权项

一种变周期倾斜光栅激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长n‑型限制层、n‑型波导层、有源层、p‑型波导层、p‑型限制层、p‑型接触层，该p‑型接触层的厚度为100nm‑200nm；步骤2：在p‑型接触层、p‑型限制层及p‑型波导层上，采用光刻和干法刻蚀方法间隔制作出倾斜两光栅条，刻蚀深度大于p‑型接触层和p‑型限制层厚度之和，小于p‑型接触层、p‑型限制层及p‑型波导层厚度之和，该两光栅条之间为倾斜的注入区；光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构，另一光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构；步骤3：在倾斜的横向分布的变周期光栅结构和倾斜的横向分布的变周期光栅结构上制作绝缘层；步骤4：在倾斜的横向分布的变周期光栅结构以及他们之间的注入区上生长正电极；步骤5：将衬底减薄抛光；步骤6：在减薄抛光后的衬底的背面制作背电极；步骤7：退火，解理成矩形的芯片，完成制备。