[发明专利]存储元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，存储元件包括多个位线层以及多个支撑结构。各位线层沿着第一方向与第二方向所定义的平面延伸。各位线层具有沿着第一方向延伸的多条位线，且各位线具有交替配置的多个宽部与多个窄部。支撑结构位于相邻的位线层的对应的位线的宽部之间。此外，各位线的各窄部的剖面形状实质上为类椭圆形，且各窄部具有大于约30％的圆角率。

主权项

1.一种存储元件，包括：多个位线层，各位线层沿着一第一方向与一第二方向所定义的平面延伸，各位线层具有沿着该第一方向延伸的多条位线，且各位线具有交替配置的多个宽部与多个窄部；以及多个支撑结构，位于相邻的这些位线层的对应的这些位线的这些宽部之间，其中各位线的各窄部的剖面形状为一类椭圆形，且各窄部具有大于30％的圆角率(Rounding Ratio，RR)，该圆角率的定义如式(1)所示：其中r由式(2)所定义；a为该类椭圆形的半长轴(major semi‑axis)长度；b为该类椭圆形的半短轴(minor semi‑axis)长度；N是由为该类椭圆形的半长轴及半短轴所定义出的一矩形的对角线长度；θ为该矩形的对角线与该类椭圆形的半长轴之间的夹角；且c为该类椭圆形的中心沿着该矩形的对角线至该类椭圆形的边缘的距离。