[发明专利]用于镭射剥离处理的晶圆结构在审
| 申请号： | 201510390261.3 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106340439A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 林建宏;李佳璘;杨善珺 | 申请（专利权）人： | 勤友光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268;B23K26/36 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 | 代理人： | 许志勇,王中 |
| 地址： | 中国台湾新北市三重区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于镭射剥离处理的晶圆结构，其包含一载板、一剥离层、一接合层与一半导体晶圆。并将剥离层设置于载板的其中一面。接合层设置于剥离层的其中一面且远离载板。半导体晶圆设置于该接合层的其中一面且远离剥离层。其中在该载板上方接收波长介于193nm至400nm之间的镭射光，该剥离层的厚度为大于0.2倍的吸收长度，而小于1倍的该吸收长度，该吸收长度为镭射光在该剥离层上操作的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 镭射 剥离 处理 结构 | ||
【主权项】：
一种用于镭射剥离处理的晶圆结构，其特征在于，包含：一载板；一剥离层，配置于该载板的其中一面；一接合层，配置于该剥离层的其中一面且远离该载板；以及一半导体晶圆，配置于该接合层的其中一面且远离该剥离层；其中，以一镭射光照射该载板，该镭射光的光学波长范围介于193nm至400nm之间，该镭射光操作在该剥离层具有一吸收长度，该剥离层的厚度大于0.2倍的该吸收长度并且小于1倍的该吸收长度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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