[发明专利]一种Memory模块的验证方法及系统

摘要

本发明提供一种Memory模块的验证方法，所述方法1、在单个Memory模块或组合的Memory模块外包一层Wrapper，实现在IC芯片各个工艺库下Memory模块对外接口的一致性；2、对每个Memory模块的Wrapper前级产生激励信号；3、对每个Memory模块的Wrapper后级进行数据采集，采集在各种激励信号情况下产生的Memory数据；4、对Memory数据进行行为分析，判断是否符合所需的预期值，是，发出通过的信号；否，发出失败的信号，并给出Memory模块错误的类型与地址。本发明的Memory的集成和功能性的验证的完备性可以得到最大的提升，尤其是write mask和多个Memory整合的错误可以被发现。

主权项

一种Memory模块的验证方法，其特征在于：所述验证方法具体包括如下步骤：步骤1、在单个Memory模块或组合的Memory模块外包一层Wrapper，实现在IC芯片各个工艺库下Memory模块对外接口的一致性；步骤2、对每个Memory模块的Wrapper前级产生激励信号；步骤3、对每个Memory模块的Wrapper后级进行数据采集，采集在各种激励信号情况下产生的Memory数据；步骤4、对Memory数据进行行为分析，判断是否符合所需的预期值，是，发出通过的信号；否，发出失败的信号，并给出Memory模块错误的类型与地址；所述步骤4中对Memory数据进行行为分析，判断是否符合所需的预期值，具体为：对Memory模块一个地址写入一个固定值，通过激励信号后，采集到的数据要是固定值对应的预期值，则符合，采集的要不是固定值对应的预期值，则不符合；并对一个memory模块的所有地址进行写操作，每个地址空间的每一个bit遍历0和1，然后回读，判断回读回来的数据与写入的数据是否一致，是一致则发出通过的信号；否，发出失败的信号，并给出Memory模块错误的类型与地址。