[发明专利]一种CMOS振荡器有效
申请号: | 201510390957.6 | 申请日: | 2015-07-06 |
公开(公告)号: | CN104917492B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 方健;梁湛;周义明;李桂英;沈逸骅 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03K3/012 | 分类号: | H03K3/012 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于模拟集成电路技术领域,具体的说涉及一种CMOS振荡器。本发明采用电容的泵压特性,代替了传统的电阻电容充放电过程,采用了电平转换和电容泵压相结合的方式,轻易的实现了高速的振荡器特性,所发明的电路结构简单,减小了传统的使用运算放大器的振荡器电路面积并且降低了成本;同时,引入了双稳态电路,与电平转换电路相结合,利用电平转换电路延迟小的特点,在电源上电时,能够快速启动响应,大大缩短了振荡器的启动时间。本发明特别适用于高频CMOS振荡器。 | ||
搜索关键词: | 一种 cmos 振荡器 | ||
【主权项】:
一种CMOS振荡器,包括电平转换电路、充放电电路、电流源I1、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第五反相器INV5、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、与非门NAND、直流电源VDC和第一电容C1构成;其中,所述电平转换电路的电源输入端接电源VDD,其第一输入端接第二NMOS管N2的漏极、第五反相器INV5的输出端和第四反相器INV4的输入端,其第二输入端接第一NMOS管N1的漏极、第五反相器INV5的输入端和第四反相器INV4的输出端,其第一输出端接充放电电路的第一输入端以及与非门NAND的第一输入端和第一反相器INV1的输入端;所述充放电电路的电源输入端接电流源I1的输出端,其第二输入端接与非门NAND的输出端,其第一输出端接第二NMOS管N2的栅极,其第二输出端接第一NMOS管N1的栅极;与非门NAND的第二输入端接直流电源VDC的正极;直流电源VDC的负极接地GND;第一反相器INV1的输出端接第二反相器INV2的输入端;第二反相器INV2的输出端接第三方向器N3的输出端;第二反相器INV2和第三反相器INV3的连接点通过第一电容C1后接地GND;第三反相器INV3的输出端为振荡器的输出端;所述充放电电路由第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第二电容C2和第三电容C3构成;其中,第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极为充放电电路的电源输入端;第一PMOS管P1的栅极接第三NMOS管N3的栅极作为充放电电路的第一输入端;第二PMOS管P2的栅极接第四NMOS管N4的栅极作为充放电电路的第二输入端;第一PMOS管P1的漏极接第三NMOS管N3的漏极和第三电容C3的一端;第一PMOS管P1、第三NMOS管N3和第三电容C3的连接点作为充放电电路的第一输出端;第二PMOS管P2的漏极接第四NMOS管N4的漏极和第三电容C3的另一端;第二PMOS管P2的漏极、第四NMOS管N4的漏极和第三电容C3的连接点作为充放电电路的第二输出端;第二输出端还通过第二电容C2后接地GND。
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