[发明专利]一种基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510390973.5 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN105005010A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;邹志理;苏桦;张怀武;钟智勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R3/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器及其制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括衬底、依次位于衬底之上的底层线圈、第一生瓷料带层、顶层线圈、第二生瓷料带层、四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层；所述底层线圈与顶层线圈通过金属通孔连接，且底层线圈与顶层线圈中电流流动方向一致，可增强磁场。本发明磁阻传感器采用优化结构的置位/复位线圈层且采用LTCC技术制备，使得在不附加任何磁性辅助层的基础上，提供满足应用需求的磁场，并同时降低置位/复位操作所带来的能耗，且工艺简单，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ltcc 技术 功耗 磁阻 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器，包括衬底、依次位于衬底之上的底层线圈、第一生瓷料带层、顶层线圈、第二生瓷料带层、四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层；所述底层线圈与顶层线圈通过金属通孔连接，且底层线圈与顶层线圈中电流流动方向一致，可增强磁场。
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