[发明专利]自动监控膜厚均匀性的方法有效
申请号: | 201510392349.9 | 申请日: | 2015-07-07 |
公开(公告)号: | CN106298566B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 周明宽;吕建辉;曾筠捷;施介文 | 申请(专利权)人: | 力晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B21/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种自动监控膜厚均匀性的方法。取得多个晶片的薄膜的膜厚数据,其中各晶片的膜厚数据包括在多个量测区域上的多个厚度值,并且同一个晶片的厚度值设定为一膜厚向量。基于各量测区域所获得的上述厚度值获得群均值矩阵。依据群均值矩阵与上述膜厚向量,获得群共变异矩阵。基于量测区域之间的偏离关系,获得变换矩阵。利用变换矩阵、群均值矩阵以及群共变异矩阵,获得偏差范围。基于偏差范围来监控各晶片的薄膜的膜厚均匀性。 | ||
搜索关键词: | 自动 监控 均匀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种自动监控膜厚均匀性的方法,包括:取得多个晶片的薄膜的膜厚数据,其中该膜厚数据包括每一上述晶片在多个量测区域上的多个厚度值,其中将属于同一上述晶片的上述厚度值设定为一膜厚向量;分别取出属于相同的上述量测区域中的上述厚度值进行平均计算,而获得一群均值矩阵;依据该群均值矩阵与上述膜厚向量,获得一群共变异矩阵;基于两两相近的上述量测区域之间的偏离关系,获得一变换矩阵;利用该变换矩阵、该群均值矩阵以及该群共变异矩阵,获得一偏差范围;基于该偏差范围来监控每一上述晶片的薄膜的膜厚均匀性,其中上述量测区域为同心圆环状,且在每一上述晶片自一外圈位置开始往一中心位置靠近依序包括:一第一圈、一第二圈以及一第三圈;而基于两两相近的上述量测区域之间的偏离关系,获得该变换矩阵的步骤包括:依据该第一圈与该第二圈之间一第一薄膜的一第一偏离角度,获得该第一圈与该第二圈之间的第一偏离关系;依据该第二圈与该第三圈之间一第二薄膜的一第二偏离角度,获得该第二圈与该第三圈之间的第二偏离关系;依据该第一偏离角度与该第二偏离角度,获得该第一薄膜与该第二薄膜之间的一偏离度关系;以及基于该偏离度关系、该第一偏离关系与该第二偏离关系,获得用以求出该第一薄膜与该第二薄膜之间一第三偏离角度的该第一圈、该第二圈与该第三圈三者的膜厚系数,而以该膜厚系数来作为该变换矩阵。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶科技股份有限公司,未经力晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510392349.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:直角转角(JY520712)
- 下一篇:铝型材(一)
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造