[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201510392655.2 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN106340504B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 邵柏竣;洪永泰;骆统 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，该半导体元件包括基底、介电层、多个第一阻挡层、多个第二阻挡层和多个导体层；其中，介电层位于基底上；第一阻挡层位于介电层中；第二阻挡层位于介电层中，且位于第一阻挡层上；导体层位于介电层中，导体层与第一阻挡层和第二阻挡层连接，且相邻两个导体层之间具有空气间隙，空气间隙的顶端至少高于导体层高度的三分之二。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一介电层位于一基底上；多个第一阻挡层位于该介电层中；多个第二阻挡层位于该介电层中，且位于这些第一阻挡层上；以及多个导体层位于该介电层中，这些导体层与这些第一阻挡层和第二阻挡层连接，其中相邻两个导体层之间具有一空气间隙，该空气间隙的顶端至少高于这些导体层高度的三分之二；其中这些空气间隙具有一向上突起结构、多个延伸结构、一宽部结构以及至少一向下突起结构，其中该向上突起结构位于顶端，该向下突起结构位于该宽部结构的底端，这些多个延伸结构位于该宽部结构与该向上突起结构之间；其中这些空气间隙不超过这些第二阻挡层顶端的体积与相邻两个第一阻挡层底端至相邻两个第二阻挡层顶端之间的间隙体积的比值介于10％至80％之间。
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