[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510393301.X | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN106340519B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 洪钰珉;韩宗廷;徐妙枝 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11509 | 分类号： | H01L27/11509 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。方法可包括以自对准四重图案化步骤图案化阵列和周边区、并提供以此结合的图案化步骤制作而成的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n一基板；/n二相邻字线，形成于该基板上；/n一第一字线垫，与该二相邻字线其中之一连接且形成于该基板上；/n一第二字线垫，与该二相邻字线其中之另一连接且形成于该基板上；/n其中该第一字线垫于垂直该二相邻字线的方向上是该第二字线垫的一镜像，该第一字线垫包括一第一垫宽及一第二垫宽，该第一垫宽与一字线相邻，该第二垫宽相对于该字线，该第一垫宽不等同于该第二垫宽；以及/n一间距位于该第一字线垫和该第二字线垫之间，该间距包括一第一间距宽度，该第一间距宽度是以a表示；该第一垫宽小于该第二垫宽0.05至1.5倍的该第一间距宽度a；该第二垫宽靠近该第一垫宽的边长是具有一与侧边形成非90度角度的边长。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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