[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该存储器包括存储单元，存储单元包括：堆叠栅极结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区与漏极区、控制栅极和栅间介电层，堆叠栅极结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，浮置栅极的顶部具有转角部。抹除栅极包覆转角部。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠栅极结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，进而增加存储器元件的可靠度。

主权项

一种非易失性存储器，其特征在于，包括：第一存储单元，设置于基底上，所述第一存储单元，包括：堆叠栅极结构，包括依序设置于所述基底上的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极；浮置栅极，设置于所述堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，且所述浮置栅极的顶部具有转角部，所述抹除栅极包覆所述转角部；穿隧介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间；抹除栅介电层，设置于所述抹除栅极与所述浮置栅极之间；辅助栅介电层，设置于所述辅助栅极与所述浮置栅极之间；源极区与漏极区，分别设置于所述堆叠栅极结构与所述浮置栅极两侧的所述基底中，其中所述源极区邻接所述浮置栅极，所述漏极区邻接所述堆叠栅极结构的第二侧，所述第一侧与所述第二侧相对；控制栅极，设置于所述源极区与所述浮置栅极上；以及栅间介电层，设置于所述控制栅极与所述浮置栅极之间以及所述控制栅极与所述抹除栅极之间。