[发明专利]MOS型气体传感器及制备方法在审
| 申请号： | 201510393508.7 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105116023A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 郑轩;明安杰;尚海平;欧文;王明明;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOS型气体传感器及制备方法，其包括用于确定是否存在待检测气体的气体感应结构，在所述气体感应结构的下方设置用于对气体感应结构加热的MEMS微加热结构，所述MEMS微加热结构通过电隔离层与气体感应结构绝缘隔离；所述MEMS微加热结构包括承载衬底，在所述承载衬底内的上部设有隔热空腔，所述隔热空腔位于承载衬底的中心区；在承载衬底的上方设置用于支撑加热层的绝热层，加热层位于隔热空腔的正上方，电隔离层支撑在加热层上，气体感应结构支撑在电隔离层上，电隔离层以及气体感应结构均位于隔热空腔的正上方。本发明功耗低，响应快速，MEMS微加热结构与CMOS工艺兼容，减小了工艺难度，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | mos 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS型气体传感器，其特征是：包括用于确定是否存在待检测气体的气体感应结构，在所述气体感应结构的下方设置用于对气体感应结构加热的MEMS微加热结构，所述MEMS微加热结构通过电隔离层（9）与气体感应结构绝缘隔离；所述MEMS微加热结构包括承载衬底（1），在所述承载衬底（1）内的上部设有隔热空腔（12），所述隔热空腔（12）位于承载衬底（1）的中心区；在承载衬底（1）的上方设置用于支撑加热层（8）的绝热层（5），加热层（8）位于隔热空腔（12）的正上方，电隔离层（9）支撑在加热层（8）上，气体感应结构支撑在电隔离层（9）上，电隔离层（9）以及气体感应结构均位于隔热空腔（12）的正上方。
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