[发明专利]平面内任意方向均能实现GHz高磁导率的磁性材料及制备方法

摘要

一种平面内任意方向均能实现GHz高磁导率的磁性材料及制备方法，该磁性材料由从下往上依次设置的第二铁磁层、隔离层和第一铁磁层组成；第一铁磁层与第二铁磁层的各向异性方向相垂直，且具有数值相同的单轴各向异性。在硅基底上，钴锆做靶材，磁控斜溅射得到具有单轴各向异性的第二铁磁层；在第二铁磁层上磁控溅射得非磁性SiO2层；在非磁性SiO2层上磁控斜溅射得到各向异性方向与第二铁磁层相垂直的第一铁磁层，制得在平面内任意方向均能实现高磁导率的磁性材料。该磁性材料在不施加外磁场的条件下，能够实现在薄膜中面内任意方向都具有高频高磁导率，极大地拓宽了材料的使用范围和使用条件。

主权项

一种平面内任意方向均能实现GHz高磁导率的磁性材料，其特征在于，该磁性材料由从下往上依次设置的第二铁磁层（3）、隔离层（2）和第一铁磁层（1）组成；第一铁磁层（1）的各向异性方向与第二铁磁层（3）的各向异性方向相垂直，且第一铁磁层（1）和第二铁磁层（3）具有数值相同的单轴各向异性；第一铁磁层（1）和第二铁磁层（3）均为铁磁性薄膜，且厚度相同；隔离层（2）为非磁性SiO2层；该磁性材料单层膜等效磁导率的大小在薄膜平面内随角度α有cos2α的依赖关系，于是对于各向异性场相互垂直的第一铁磁层（1）和第二铁磁层（3），当第一铁磁层（1）和第二铁磁层（3）的单轴各向异性场大小相等时，在平面内任意方向施加微波场，该磁性材料的磁化率在平面内是一个角度无关的量，即实现了面内各个方向的高磁导率。