[发明专利]一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法有效
| 申请号： | 201510394077.6 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104947181B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;杨祥龙;胡小波;彭燕;陈秀芳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法，可以稳定生长低位错密度的SiC单晶。该方法包括采用制作周期性图形台面和沟槽，利用晶体生长时不同晶面生长速率的各向异性原理，选择合适的生长温度和压力，采用两阶段生长模式，第一阶段促进沿台面侧壁非极性面侧向生长，侧向生长区域位错密度大大降低；第二阶段，当台面之间沟槽侧向长平后，改变生长条件，促进沿c轴方向生长，提高生长速率长厚晶体。本发明基于不同晶面生长速率各向异性原理，只需利用机械方法使籽晶表面显露出非极性面即可，工艺简单，思路新颖，并且能够明显降低物理气相传输法生长SiC单晶中的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 物理 相传 生长 sic 单晶中位错 密度 方法 | ||
【主权项】：
一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法，包括步骤如下：(1)在SiC籽晶面为(000‑1)C面或(0001)Si面，或与[0001]方向偏差0‑8°的邻位面上制作沟槽，使得沟槽侧壁显露的面为(11‑20)a面或(1‑100)m面，或者(11‑20)a面和(1‑100)m面二者的交叉面；(2)沿制作好沟槽的SiC籽晶面进行两个阶段晶体生长，第一阶段：低温生长，生长温度1600‑2000℃，压力0‑50mbar，生长至沟槽长平；第二阶段：高温生长，生长温度2050‑2300℃，生长压力10‑80mbar，生长时间20‑200h；(3)重复步骤(1)、(2)过程，实现物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的降低。
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