[发明专利]弯曲二次电池和制造该弯曲二次电池的方法有效

专利信息
申请号: 201510394235.8 申请日: 2015-07-07
公开(公告)号: CN105374978B 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 卞仁燮;韩俊喜 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;H01M10/04
代理公司: 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 尹淑梅;刘奕晴
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种弯曲二次电池和制造该弯曲二次电池的方法,弯曲二次电池包括具有弯曲的形状的电极组件和容纳电极组件的袋,其中,袋包括:第一包封片,位于电极组件的弯曲的第一表面上,第一包封片具有曲率与第一表面的曲率相同的部分;第二包封片,位于电极组件的弯曲的第二表面上,第二包封片具有曲率与第二表面的曲率相同的部分;附着部,具有平面形状,附着部是在第一包封片的第一边界部分和第二包封片的第二边界部分彼此附着时形成的。
搜索关键词: 弯曲 二次 电池 制造 方法
【主权项】:
1.一种弯曲二次电池,所述弯曲二次电池包括:/n电极组件,具有弯曲的形状;以及/n袋,容纳电极组件,/n其中,袋包括:/n第一包封片,位于电极组件的弯曲的第一表面上,第一包封片具有曲率与第一表面的曲率相同的部分并且包括第一容纳部分;/n第二包封片,位于电极组件的弯曲的第二表面上,第二包封片具有曲率与第二表面的曲率相同的部分并且包括第二容纳部分;/n附着部,具有平面形状,附着部是在第一包封片的第一边界部分和第二包封片的第二边界部分彼此附着时形成的,其中,附着部位于电极组件的第一表面和电极组件的第二表面之间的平面中,其中,电极组件被容纳在第一容纳部分和第二容纳部分中。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510394235.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top