[发明专利]具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法

摘要

一种具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器，包括：一SOI衬底；一二氧化硅层，其制作在SOI层的n型顶层硅上，该二氧化硅层刻蚀有二氧化硅光栅，该二氧化硅光栅为一圆形或矩形结构，在二氧化硅光栅的空隙处制作有本征锗层，在本征锗层上制作有p型锗层，形成基片，所述二氧化硅光栅、本征锗层和p型锗层构成锗/二氧化硅亚波长光栅；n电极，其制作在SOI衬底的n型顶层硅上；p电极，其制作在p型锗层上；一抗反射绝缘介质层，其制作在基片的上表面；其中该n电极和p电极暴露出抗反射绝缘介质层外。本发明可以解决面入射硅基锗光电探测器目前存在的暗电流密度偏大，以及响应度和带宽之间相互制约的问题。

主权项

一种具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器，包括：一SOI衬底；一二氧化硅层，其制作在SOI层的n型顶层硅上，该二氧化硅层刻蚀有二氧化硅光栅，该二氧化硅光栅为一圆形或矩形结构，在二氧化硅光栅的空隙处制作有本征锗层，在本征锗层上制作有p型锗层，形成基片，所述二氧化硅光栅、本征锗层和p型锗层构成锗/二氧化硅亚波长光栅；n电极，其制作在SOI衬底的n型顶层硅上；p电极，其制作在p型锗层上；一抗反射绝缘介质层，其制作在基片的上表面；其中该n电极和p电极暴露出抗反射绝缘介质层外。