[发明专利]适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源有效

专利信息
申请号: 201510394504.0 申请日: 2015-07-07
公开(公告)号: CN104993376B 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 郑婉华;张斯日古楞;王宇飞;齐爱谊 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/343 分类号: H01S5/343
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源,包括一N型衬底;一N型光子晶体波导层,其制作在N型衬底上;一有源层,其制作在N型光子晶体波导层上;一P型波导层,其制作在有源层上,该P型波导层上面的中间有一凸起的脊形波导结构,该波导结构为P型横向限制层,该P型横向限制层横向开有多个狭槽,形成啁啾狭槽结构;一绝缘层,其制作在P型横向限制层两侧及横向的狭槽内;一N电极,其制作在绝缘层以及P型横向限制层上;一P电极,其制作在N型衬底的背面。本发明针对红绿蓝三基色激光对谱宽的需求,设计啁啾狭槽,以达到对不同波长的光都实现无散斑的投影显示。
搜索关键词: 适用于 激光 显示 相干 三维 光子 晶体 辐射 光源
【主权项】:
一种适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源,包括:一N型衬底;一N型光子晶体波导层,其制作在N型衬底上;一有源层,其制作在N型光子晶体波导层上,该N型光子晶体波导层为周期重复制备的不同组分x的AlxGa1‑xAs或者InxGa1‑xN,周期数大于2,周期重复制备的不同组分材料形成周期折射率变化,对模式进行纵向扩展;一P型波导层,其制作在有源层上,该P型波导层上面的中间有一凸起的脊形波导结构,该波导结构为P型横向限制层,该P型横向限制层横向开有多个狭槽,形成啁啾狭槽结构,该啁啾狭槽结构分为周期性啁啾深度狭槽和啁啾周期狭槽,周期性啁啾深度狭槽指狭槽周期均一,而刻蚀深度从一端到另一端逐渐增大或逐渐减小的狭槽结构,啁啾周期狭槽指狭槽周期从一端到另一端逐渐变大或逐渐变小的狭槽结构;一绝缘层,其制作在P型横向限制层两侧及横向的狭槽内;一N电极,其制作在绝缘层以及P型横向限制层上;一P电极,其制作在N型衬底的背面。
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