[发明专利]一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201510394761.4 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104992907A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吴立枢;赵岩;程伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7）BCB键合；8）去键合。优点：可将磷化铟异质结双极型晶体管完整剥离转移到硅衬底上，工艺简单，转移中不会对磷化铟异质结双极型晶体管造成破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衬底 磷化 铟异质结双极型 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，其特征是该方法包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7）BCB键合；8）去键合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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