[发明专利]一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201510394987.4 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105161217B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李明颖;沈大伟;杨海峰;刘正太;刘吉山;姚岐;樊聪聪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C30B29/24;C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法，所述制备方法至少包括首先提供一SrTiO3衬底；然后对所述SrTiO3衬底进行预处理，获得具有单一终截面的SrTiO3衬底；接着对所述具有单一终截面的SrTiO3衬底依次进行清洗处理和退火处理；最后在氧化物分子束外延系统中，通入氧化源，并交替通入Sr单质蒸发源和Ir单质蒸发源，从而在所述SrTiO3衬底表面生长形成钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料。本发明通过新型的氧化物分子束外延(Oxide molecular beam epitaxy)技术，在面内晶格失配率较低的SrTiO3(001)衬底上制备出高质量的Sr2IrO4单晶薄膜，为实现高比例化学元素掺杂的Sr2IrO4单晶制备奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿型 sr sub iro 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供一SrTiO3衬底；2)对所述SrTiO3衬底进行预处理，获得表面平整并且具有TiO2单一终截面的SrTiO3(001)单晶衬底；进行预处理的过程为：2‑1)用质量浓度均为40％的氢氟酸溶液和氟化铵溶液与去离子水混合，配制出PH值为4～5的氢氟酸缓冲液；2‑2)将所述SrTiO3衬底放入所述氢氟酸缓冲液中浸泡16～20s，取出所述SrTiO3衬底放入去离子水中洗净，获得具有TiO2单一终截面的SrTiO3(001)单晶衬底；2‑3)将具有TiO2单一终截面的SrTiO3(001)单晶衬底置于马弗炉中进行高温退火，高温退火温度为900～1050℃，退火时间为1.5～2.5小时，获得到表面平整并且具有TiO2单一终截面的SrTiO3(001)单晶衬底；3)对所述表面平整并且具有TiO2单一终截面的SrTiO3(001)单晶衬底依次进行清洗处理和退火处理；4)在氧化物分子束外延系统中，通入氧化源，并交替通入Sr单质蒸发源和Ir单质蒸发源，从而在所述SrTiO3衬底表面生长形成钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料。
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