[发明专利]晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种高效晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池结构相比于传统结构，在倒金字塔结构表面还具有微绒结构，该结构可进一步减少光反射，提高器件的光谱响应。该技术适用于p型和n型太阳电池，采用离子注入实现p+层和n+层的掺杂制备，通过对重掺杂层的选择性腐蚀得到p+层或n+层上表面的微绒结构。本发明技术有利于晶体硅太阳电池性能的提高。

主权项

一种晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤一，提供一具有上下表面的p型晶体硅基底，在所述的晶体硅基底上下表面制备倒金字塔结构；步骤二，在所述制备了倒金字塔结构的p型晶体硅基底的上表面采用离子注入方法制备n+发射极层；步骤三，在所述n+发射极层表面采用p+层选择性单面化学腐蚀方法形成微绒结构；步骤四，在具有微绒结构的n+发射极层表面制备前表面钝化层；步骤五，接着丝网印刷制备发射极金属电极和基极金属电极；步骤六，电极退火制备p+基极层，并实现电极欧姆接触。