[发明专利]低位错密度AlxGa1-xN外延薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种低位错密度Al_xGa_1-xN外延薄膜的制备方法，制备方法包括：在衬底上外延生长AlN薄膜；将制得的AlN薄膜上外延生长多个周期Al_yGa_1-yN/AlN超晶格插入层；在上述Al_yGa_1-yN/AlN超晶格插入层表面外延生长Al_xGa_1-xN薄膜；腐蚀制得的Al_xGa_1-xN薄膜，形成具有位错坑的Al_xGa_1-xN薄膜；在上述具有位错坑的Al_xGa_1-xN薄膜表面沉积介质膜，形成具有介质膜的外延片；将上述具有介质膜的外延片表面抛光，制得外延片模板；在上述外延片模板上继续外延生长Al_xGa_1-xN，制得Al_xGa_1-xN外延薄膜；其中，x、y为不大于1的正数。实现低位错密度的效果。

主权项

一种低位错密度Al_xGa_1‑xN外延薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)在衬底上外延生长AlN薄膜；2)将上述制得的AlN薄膜上外延生长多个周期Al_yGa_1‑yN/AlN超晶格插入层；3)在上述制得的Al_yGa_1‑yN/AlN超晶格插入层表面外延生长Al_xGa_1‑xN薄膜；4)腐蚀上述制得的Al_xGa_1‑xN薄膜，形成具有位错坑的Al_xGa_1‑xN薄膜；5)在上述具有位错坑的Al_xGa_1‑xN薄膜表面沉积介质膜，形成具有介质膜的外延片；6)将上述具有介质膜的外延片表面抛光，制得外延片模板；7)在上述外延片模板上继续外延生长Al_xGa_1‑xN，制得Al_xGa_1‑xN外延薄膜；其中，x、y为不大于1的正数。