[发明专利]基于纳米孪晶铜的凸点下金属层及制备方法在审
| 申请号： | 201510395468.X | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105097746A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李珩;罗乐;徐高卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于纳米孪晶铜的凸点下金属层及制备方法，所述凸点下金属层包括粘附层以及位于所述粘附层之上的纳米孪晶铜层。凸点下金属层（UBM）是芯片封装应力最大的地方之一，往往容易先行失效。本发明通过在UBM层中引入纳米孪晶铜，可以利用纳米孪晶铜对裂纹扩展的阻挡作用，极大地提高封装的疲劳特性。同时，纳米孪晶铜对柯肯达尔空洞形成具有抑制作用，提高了焊接力学强度和抗电迁移特性。纳米孪晶铜在本实例形成过程中，是一种柱状晶结构，孪晶片层平行于芯片表面，从而可以减少凸点中其他成分如Sn的晶界扩散，因此具有更好的扩散阻挡效果。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 孪晶铜 凸点下 金属 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米孪晶铜的凸点下金属层的其制备方法，其特征在于，包括步骤：1)形成凸点下金属层粘附层；2)于所述粘附层上形成纳米孪晶铜层。
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