[发明专利]基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法

摘要

本发明涉及一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，步骤如下将硅片置于有氧环境下进行高温扩散形成PN结，同时硅片上表面被氧化；除去硅片顶电极区以外的氧化层；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使非顶电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散，同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；去除硅片表面的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。

主权项

基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，包括如下步骤：第1步、将N型单晶硅硅片置于湿氧环境下进行高温预扩散，使硼元素扩散入硅片形成PN结，同时硅片表面被氧化形成硼硅玻璃层；该氧化层中含有高浓度的硼元素，生成的氧化层厚度为0.05微米，该氧化层中硼元素的浓度约为1e19/cm3，高温预扩散的工艺温度为1000℃，持续时间为30分钟；第2步、除去硅片上表面顶电极区以外的氧化层；第3步、在硅片上表面淀积厚度为40‑50nm的本征非晶硅层；第4步、将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使硅片非顶电极区的硼元素扩散入本征非晶硅层，降低硅片非顶电极区硼元素浓度，实现硼元素的逆向扩散；顶电极区氧化层中的硼元素向顶电极区扩散，实现顶电极区的重掺杂，同时本征非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；所述第4步中，高温扩散的工艺温度为900℃，持续时间为30分钟；第5步、去除硅片表面所有的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。