[发明专利]一种配位聚合物多孔材料MAF‑49及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201510396043.0 申请日: 2015-07-08
公开(公告)号: CN105037403B 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 张杰鹏;廖培钦;洪惠玲;陈小明 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C07F3/06 分类号: C07F3/06;C07D249/14;B01J20/22;B01D53/02;C07C7/12;C07C11/04;C07C9/04
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 任重
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一例多孔配位聚合物MAF‑49及其制备方法与应用,所述MAF‑49的化学式为[Zn(batz)],其中batz2‑为配体双(5‑氨基‑1H‑1,2,4‑三唑‑3‑基)甲烷H2batz脱去质子后的阴离子,该材料结晶于三方晶系,P3121空间群,a=9.6963Å,c=20.126Å;是由batz2‑配体与三个四配位的Zn2+离子连接形成的具有一维孔道的三维框架结构。该材料具有稳定性好,乙烷吸附强等特点,可用于富集天然气中的乙烷,纯化垃圾填埋气中的甲烷,回收乙烯环氧化产物中的乙烯,还能简便低能耗地分离乙烯乙烷混合物以获得纯度99.95%+的乙烯,具有很高的工业应用价值。
搜索关键词: 一种 配位聚合 多孔 材料 maf 49 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种配位聚合物多孔材料MAF‑49,其特征在于,所述MAF‑49的化学式为[Zn(batz)],其中batz2‑代表配体双(5‑氨基‑1H‑1,2,4‑三唑‑3‑基)甲烷 H2batz 脱去质子后的阴离子,所述多孔材料MAF‑49结晶在三方晶系,P3121空间群,a = 9.6963 Å,c = 20.126 Å所述MAF‑49是通过batz2‑与三个四配位的Zn2+离子连接形成的具有一维孔道的三维框架结构。
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