[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201510396895.X | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105006482B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 佘斯懿;胡少坚;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,尹英 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯场效应晶体管的制备方法，包括提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成对准标记；在半导体衬底上形成石墨烯薄膜层；经光刻和刻蚀工艺，图形化石墨烯薄膜层，形成带状石墨烯和石墨烯薄膜层的对准标记，带状石墨烯作为导电沟道；利用衬底上形成的对准标记实现带状石墨烯的对准；经光刻、金属沉积及剥离工艺，在带状石墨烯上形成源极、漏极；在该步光刻中，利用石墨烯薄膜层的对准标记实现源极、漏极对带状石墨烯的对准。本发明减少了经光刻和刻蚀将对准标记刻蚀在石墨烯上的过程，从而减少了石墨烯与光刻胶接触的机会，进而减少了光刻胶在石墨烯上的残留，提升了器件的性能；并且由于减少了工艺步骤，则降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成对准标记；步骤02：在所述半导体衬底上形成石墨烯薄膜层；步骤03：经光刻和刻蚀工艺，图形化所述石墨烯薄膜层，形成带状石墨烯和所述石墨烯薄膜层的对准标记，所述带状石墨烯作为导电沟道；其中，利用所述衬底上形成的所述对准标记实现所述带状石墨烯的对准；步骤04：经光刻、金属沉积及剥离工艺，在所述带状石墨烯上形成源极、漏极；在该步光刻中，利用所述石墨烯薄膜层的对准标记实现所述源极、所述漏极对所述带状石墨烯的对准。
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