[发明专利]用于增加工艺裕度的鳍图案化方法

摘要

本发明提供了用于增加工艺裕度的鳍图案化方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成多个第一间隔件。在每个第一间隔件的侧壁上沉积多个第二间隔件的第二间隔件。在一些实施例中，配置相邻第一间隔件之间的间距，使得形成在相邻第一间隔件的侧壁上的第二间隔件物理合并以形成合并的第二间隔件。可以执行第二间隔件切割工艺以选择性地去除至少一个第二间隔件。在一些实施例中，在每个第二间隔件的侧壁上形成多个第三间隔件的第三间隔件。可以执行第三间隔件切割工艺以选择性地去除至少一个第三间隔件。对衬底执行第一蚀刻工艺以形成鳍区域。多个第三间隔件在第一蚀刻工艺期间掩蔽部分衬底。

主权项

1.一种半导体器件制造的方法，包括：在衬底上方形成多个第一间隔件，其中，所述第一间隔件形成在所述衬底上的芯轴的侧壁上，所述多个第一间隔件中的每个第一间隔件都具有第一间隔件宽度；在所述多个第一间隔件中的每个第一间隔件的侧壁上沉积第二间隔件，其中所述多个第二间隔件中的每个第二间隔件都具有第二间隔件宽度；在所述多个第二间隔件中的每个第二间隔件的侧壁上形成第三间隔件，其中所述多个第三间隔件中的每个第三间隔件都具有第三间隔件宽度；以及对所述衬底执行第一蚀刻工艺以在所述衬底内形成鳍区域，所述多个第三间隔件在所述第一蚀刻工艺期间掩蔽部分所述衬底，并且鳍区域宽度等于所述第三间隔件宽度，其中，在形成所述第三间隔件之前，执行第二蚀刻工艺以选择性地去除所述多个第一间隔件而不大量蚀刻周围的材料，和在执行所述第二蚀刻工艺之后以及在形成所述第三间隔件之前，执行第二间隔件切割工艺以选择性地去除所述多个第二间隔件中的至少一个第二间隔件。