[发明专利]一种脉冲场富集离子迁移管在审
| 申请号： | 201510397889.6 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106340435A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈创;李海洋;王卫国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01J49/02 | 分类号： | H01J49/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种脉冲场富集离子迁移管。其特征在于，通过在离子源和离子门之间设置的脉冲电极上施加与离子门开启脉冲同步的高压脉冲，在离子门开启的期间，极大的提高离子的运动速度，使更多的离子能够通过离子门；同时，利用高压脉冲所造成的离子门两侧电场强度的差异，对已通过离子门的离子团进行空间聚焦，保持离子迁移管原有的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 脉冲 富集 离子 迁移 | ||
【主权项】：
一种脉冲场富集离子迁移管，所述离子迁移管为一中空腔体，在腔体两端分别设置反应离子产生装置离子源以及离子接收装置法拉第盘；在腔体内部位于离子源和法拉第盘之间设置离子门，将腔体内部分成两个区域，其中离子源和离子门之间构成反应区，离子门和法拉第盘之间构成迁移区；其特征在于：在反应区的内部设置可通过离子的脉冲电极，脉冲电极与离子门平行，脉冲电极与离子门之间构成脉冲场离子富集区。
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