[发明专利]基于MgO衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法在审
| 申请号： | 201510398151.1 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104952912A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L21/363 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于MgO衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括MgO衬底和氧化镓外延层，其特征在于：氧化镓外延层设为多层，且自下而上每层氧化镓外延层的下面设有5～10nm厚的氧化镓缓冲层，以在衬底上形成缓冲层与外延层交替分布的复合结构。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mgo 衬底 多层 氧化 薄膜 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
基于MgO衬底的多层氧化镓薄膜，包括衬底和氧化镓外延层，其特征在于：氧化镓外延层设为多层，且自下而上每层氧化镓外延层的下面设有5～10nm厚的氧化镓缓冲层，以在衬底上形成缓冲层与外延层交替分布的复合结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510398151.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶体管及其形成方法
- 下一篇：气密密封式孤立OLED像素
- 同类专利
- 专利分类
