[发明专利]可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置有效
| 申请号： | 201510399725.7 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104988582B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 牟恒 | 申请（专利权）人： | 重庆德尔森传感器技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C23F1/08 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司32261 | 代理人： | 赵丽丽 |
| 地址： | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室外部设置有多个在水平方向上的置放端架，每一个置放端架的均沿反应室的侧端面成环形延伸，电磁线圈固定于其所对应的置放端架的上端面；多个置放端架之间通过在竖直方向上延伸的支撑杆件进行连接；所述反应室的外部设置有多个升降丝杆，其连接至设置在反应室上端面的升降电机，所述升降丝杆与置放端架彼此固定连接；采用上述技术方案的可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，其可通过升降丝杆驱动电磁线圈升降，以使得批量处理的单晶硅的整体加工精度得以改善，并使得传感器整体的工艺效率得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 设备 工作效率 传感器 单晶硅 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室外部设置有多个在水平方向上的置放端架，每一个置放端架的均沿反应室的侧端面成环形延伸，所述置放端架与电磁线圈一一对应，每一个电磁线圈均固定于其所对应的置放端架的上端面；多个置放端架之间通过在竖直方向上延伸的支撑杆件进行连接；所述反应室的外部设置有多个升降丝杆，其连接至设置在反应室上端面的升降电机，所述升降丝杆与多个置放端架中，位于最高位置的置放端架彼此固定连接。
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