[发明专利]基于二维检错纠错编码的SRAM抗辐射加固方法

摘要

本发明公开了一种基于二维检错纠错编码的SRAM抗辐射加固方法，用于解决现有SRAM抗辐射方法SRAM抗单粒子翻转能力差的技术问题。技术方案是首先对写入数据进行横向正反码(16,8)编码，对同列数据进行纵向海明码(12,8)编码，即基于正反码和海明码交叉校验的二维检错纠错编码；然后当发生单粒子效应导致多位翻转问题时，利用二维检错纠错算法，依次对读出数据进行解码运算。本发明充分利用横向正反码、纵向海明码的交叉校验能力，有效地提高了SRAM检错纠错能力，使SRAM能纠正2位以上错码，即处理单粒子效应导致的多位翻转问题，从而进一步提高了SRAM抗单粒子翻转能力。

主权项

一种基于二维检错纠错编码的SRAM抗辐射加固方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、扫描统计横向最大错码数Ex、纵向最大错码数Ey；步骤二、判断横向最大错码数Ex和纵向最大错码数Ey是否等于0，如果是则转步骤十六，否则转步骤三；步骤三、判断横向最大错码数Ex是否大于1，如果是转步骤六，否则转步骤四；步骤四、横向扫描正反码纠单错；步骤五、判断横向最大错码数Ex、纵向最大错码数Ey是否等于0，如果是则转步骤十六，否则转步骤十七；步骤六、判断纵向最大错码数Ey是否大于1，如果是转步骤九，否则转步骤七；步骤七、扫描纵向海明码纠单错；步骤八、判断横向最大错码数Ex、纵向最大错码数Ey是否等于0，如果是则转步骤十六，否则转步骤十七；步骤九、扫描横向正反码纠单错；步骤十、扫描统计横向最大错码数Ex、纵向最大错码数Ey；步骤十一、判断横向最大错码数Ex是否大于1，如果是转步骤十三，否则转步骤十二；步骤十二、判断横向最大错码数Ex、纵向最大错码数Ey是否等于0，如果是则转步骤十六，否则转步骤十七；步骤十三、判断纵向最大错码数Ey是否大于1，如果是转步骤十七，否则转步骤十四；步骤十四、扫描纵向海明码纠单错；步骤十五、判断横向最大错码数Ex、纵向最大错码数Ey是否等于0，如果是则转步骤十六，否则转步骤十七；步骤十六、所有错码纠正，二维检错纠错结束；步骤十七、存在不可纠正错码，二维检错纠错结束。