[发明专利]硅控整流器与静电放电箝制电路

摘要

本发明是关于一种硅控整流器与静电放电箝制电路，其中该硅控整流器包含分离的第一型场、第二型第一场及第二型第二场，形成于第一型井内；连续第一型掺杂区，形成于第一型场内；分段第二型掺杂区，形成于第二型第一场内；及分段第一型掺杂区，形成于第二型第二场内。本发明的一种硅控整流器的新颖架构，其具增强的保持电压。本发明提出另一种多晶硅电阻触发的堆叠硅控整流器，其不会增加触发电压。

主权项

1.一种硅控整流器，其特征在于包含：第一型场、第二型第一场及第二型第二场形成于第一型井内，其中该第一型场、该第二型第一场及该第二型第二场彼此分离；连续第一型掺杂区，形成于该第一型场内；分段第二型掺杂区，形成于该第二型第一场内；及分段第一型掺杂区，形成于该第二型第二场内；其中该连续第一型掺杂区的离子剂量大于该第一型场的离子剂量，其再大于该第一型井的离子剂量；该分段第二型掺杂区的离子剂量大于该第二型第一场的离子剂量，其再大于该第一型井的离子剂量；且该分段第一型掺杂区的离子剂量大于该第二型第二场的离子剂量，其再大于该第一型井的离子剂量；其中该连续第一型掺杂区由单一掺杂次区所组成，该分段第二型掺杂区由多个彼此分离的掺杂次区所组成，且该分段第一型掺杂区由多个彼此分离的掺杂次区所组成。