[发明专利]形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201510400619.6 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105261656A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 富田英幹;兼近将一;上田博之;西川恒一 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/20;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管。虽然当在成为HEMT的电子传输层的第一氮化物半导体层(6)与成为电子供给层的第二氮化物半导体层(8)被层叠的基板的表面上形成进行肖特基接触的阳极电极(22)与进行欧姆接触的阴极电极(20)时，会得到SBD，但是漏电流较大且耐压较低。在阳极电极(22)上，第二氮化物半导体层(8)直接接触的区域与隔着第四氮化物半导体区域(12b)和第三氮化物半导体区域(10b)而与第二氮化物半导体层(8)接触的区域混合存在。通过将第四氮化物半导体区域(12b)设为p型从而能够抑制漏电流。通过将与第二氮化物半导体层(8)相比带隙较大的氮化物半导体用于第三氮化物半导体区域(10b)，从而能够将使正向电流流通的正向电压的最低值抑制为较低。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氮化物 半导体 基板上 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，其在氮化物半导体基板的表面上形成有阳极电极与阴极电极，所述肖特基势垒二极管的特征在于，所述氮化物半导体基板具备从背面侧朝向表面侧而依次层叠有第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层和第四氮化物半导体层的层叠结构，在俯视观察所述氮化物半导体基板时的一部分的区域中，所述第三氮化物半导体层与所述第四氮化物半导体层被去除，在剖视观察所述阳极电极的形成范围时，所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层、所述第三氮化物半导体层、所述第四氮化物半导体层和所述阳极电极的层叠结构所存在的区域，与所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层和所述阳极电极的层叠结构所存在的区域混合存在，所述第一氮化物半导体层的带隙小于所述第二氮化物半导体层的带隙，并且所述第二氮化物半导体层的带隙小于所述第三氮化物半导体层的带隙，所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层和所述第三氮化物半导体层的导电型不为p型，所述第四氮化物半导体层的导电型为p型。
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