[发明专利]场限环和结终端扩展复合分压结构及该结构的制造方法在审
| 申请号： | 201510400830.8 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN106340534A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种场限环和结终端扩展复合分压结构及该结构的制造方法，所涉及的场限环和结终端扩展复合分压结构较现有的结终端扩展结构的抗击穿能力更强。所述结构包括硅晶片、主结区域、N型外延层、N型注入区域、P型注入区域和介质层；其中，所述主结区域和P型注入区域通过所述N型外延层连接，所述P型注入区域包括P-注入区域和至少3个P+注入区域，所述P+注入区域和所述P-注入区域接触，所述P+注入区域注入的P型离子的剂量大于P-注入区域注入的P型离子的剂量，所述至少3个P+注入区域中每两个相邻的P+注入区域的间距在从所述主结区域到所述N型注入区域的方向上逐渐增大，所述介质层位于所述P型注入区域表面。 | ||
| 搜索关键词： | 场限环 终端 扩展 复合 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场限环和结终端扩展复合分压结构，其特征在于，包括：硅晶片、主结区域、N型外延层、N型注入区域、P型注入区域和介质层；其中，所述主结区域和P型注入区域通过所述N型外延层连接，所述P型注入区域包括P‑注入区域和至少3个P+注入区域，所述P+注入区域和所述P‑注入区域接触，所述P+注入区域注入的P型离子的剂量大于P‑注入区域注入的P型离子的剂量，所述至少3个P+注入区域中每两个相邻的P+注入区域的间距在从所述主结区域到所述N型注入区域的方向上逐渐增大，所述介质层位于所述P型注入区域表面。
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