[发明专利]一种静电保护电路及一种SCR器件

摘要

本发明涉及电路电子技术领域，尤其涉及一种静电保护电路及一种SCR器件，通过构建一包括触发模块、电流产生单元和SCR模块的静电保护电路，当VDD有正ESD脉冲时，使第一PMOS管的栅极变为低电平，产生VDD经第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管到GND的第一电流，第二NMOS管导通，产生第二电流，经过N+掺杂区、流过Rnwell，Rnwell两端的产生压降，使三极晶体管PNP开启，其集电极电流流经Rpwell使得NPN开启，正反馈效应使三极晶体管PNP、三极晶体管NPN形成的SCR开启放电，该方案触发电压低，响应速度快；大大降低了闩锁效应的风险，需求的MOS管的尺寸小，有效减小了电路的尺寸。

主权项

一种静电保护电路，其特征在于，所述电路包括：SCR模块，包括串联连接的第一电阻、NPN晶体管和串联连接的PNP晶体管、第二电阻，所述第一电阻的一端连接到第一参考电压，所述第一电阻的与所述一端相对的另一端与PNP晶体管的基极共同连接到NPN晶体管的集电极，所述第二电阻的一端连接到第二参考电压，所述第二电阻的相对于与所述一端的另一端与NPN的基极共同连接到PNP晶体管的集电极，以及所述NPN晶体管的发射极连接到第二参考电压，所述PNP的发射极连接到第一参考电压；触发模块，提供触发信号；电流产生单元，在接收到所述触发信号时提供一个预设电流；其中当施加在第一参考电压上的ESD静电脉冲在触发所述触发模块产生触发信号时，电流产生单元产生的预设电流流经第一电阻，藉此在第一电阻上产生压降从而使PNP晶体管导通并进一步使NPN晶体管导通来触发SCR导通，以此释放ESD静电来稳定该第一参考电压。